IMBG120R060M1H是采用D2PAK-7L (TO-263-7)封裝的1200 V, 60 mΩ CoolSiC? SiC MOSFET，它基于先進(jìn)的溝槽工藝，該工藝經(jīng)過優(yōu)化，兼具性能與可靠性。它采用改良版1200V SMD封裝，將CoolSiC技術(shù)的低功耗特性與.XT互聯(lián)技術(shù)相結(jié)合，可在電機(jī)驅(qū)動(dòng)、充電模塊以及工業(yè)電源等應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)最高效率和被動(dòng)制冷。

特征描述

極低的開關(guān)損耗

短路能力：3 μs

dV/dt完全可控

柵極閾值電壓典型值：VGS(th) = 4.5 V

出色的抗寄生導(dǎo)通能力，能夠?qū)崿F(xiàn)0V關(guān)斷

牢固的體二極管，可用于硬開關(guān)

.XT互聯(lián)技術(shù)，實(shí)現(xiàn)一流的熱性能

封裝爬電距離和電氣間隙 > 6.1 mm

Sense引腳，優(yōu)化了開關(guān)性能

IMBG120R060M1H 產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品種類:MOSFET

技術(shù):SiC

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:PG-TO263-7

晶體管極性:N-Channel

通道數(shù)量:1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:1.2 kV

Id-連續(xù)漏極電流:36 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:83 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓:- 7 V, + 23 V

Vgs th-柵源極閾值電壓:5.7 V

Qg-柵極電荷:34 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:181 W

通道模式:Enhancement

商標(biāo)名:CoolSiC

系列:Trench/Fieldstop IGBT4 - E4

配置:Single

下降時(shí)間:9.8 ns

正向跨導(dǎo) - 最小值:7 S

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時(shí)間:4.8 ns

工廠包裝數(shù)量:  1000

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:20 ns

典型接通延遲時(shí)間:8.9 ns

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