IMZ120R060M1H：采用TO247-4封裝的1200V，CoolSiC?溝槽式碳化硅 MOSFET 晶體管

基本信息：

型號：IMZ120R060M1H

封裝：TO-247-4

類型：CoolSiC? 碳化硅 MOSFET 晶體管

概述：

IMZ120R060M1H 是采用TO247-4封裝的1200V、60mΩ CoolSiC?  SiC MOSFET，它基于先進(jìn)的溝槽半導(dǎo)體工藝，該工藝經(jīng)過優(yōu)化，兼具性能與可靠性。 與IGBT和MOSFET等傳統(tǒng)硅（Si）基開關(guān)相比，SiC MOSFET具有諸多優(yōu)勢，例如1200V級開關(guān)中最低的柵極電荷和器件電容電平、抗換向體二極管無反向恢復(fù)損耗、 獨立于溫度的低開關(guān)損耗以及無閾值導(dǎo)通特性。因此，CoolSiC? MOSFET非常適用于硬開關(guān)和諧振開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，如功率因素校正（PFC）電路、雙向拓?fù)湟约癉C-DC轉(zhuǎn)換器或DC-AC逆變器。

IMZ120R060M1H 產(chǎn)品屬性：

系列：CoolSiC?

FET 類型：N 通道

技術(shù)：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：1200 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：36A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：78 毫歐 @ 13A，18V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5.7V @ 5.6mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：31 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+23V，-7V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1060 pF @ 800 V

功率耗散（最大值）：150W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：PG-TO247-4-1

封裝/外殼：TO-247-4

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