NTBL023N065M3S器件是一款碳化硅（SiC）MOSFET，設計用于快速開關應用，提供可靠的性能??。NTBL023N065M3S 在 VGS = 18V 時具有 23mΩ 的典型 RDS（on）、超低柵極電荷 （QG（tot） = 69nC） 和低電容的高速開關 （Coss = 152pF）。NTBL023N065M3S SiC MOSFET 非常適合開關模式電源 （SMPS）、太陽能逆變器、不間斷電源 （UPS）、儲能系統(tǒng)和基礎設施等應用，為現(xiàn)代電源管理需求提供強大的性能。

技術參數(shù)

封裝 / 箱體：H-PSOF-8

晶體管極性：N-Channel

通道數(shù)量：1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：650 V

Id-連續(xù)漏極電流：77 A

Rds On-漏源導通電阻：32.6 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓：- 8 V, + 22 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：4 V

Qg-柵極電荷：69 nC

最小工作溫度：- 55 C

最大工作溫度：+ 175 C

Pd-功率耗散：312 W

通道模式：Enhancement

配置：Single

下降時間：9.6 ns

封裝：Reel

封裝：Cut Tape

產(chǎn)品：SiC MOSFETS

產(chǎn)品類型：SiC MOSFETS

上升時間：15 ns

系列：NTBL023N065M3S

晶體管類型：1 N-Channel

典型關閉延遲時間：35 ns

典型接通延遲時間：11 ns

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