IMBG65R107M1H CoolSiC? MOSFET 650 VSiC MOSFET 采用緊湊型 7 引腳 SMD 封裝，基于先進的英飛凌碳化硅溝槽技術(shù)，適于大功率應用。 該器件旨在提高系統(tǒng)性能，縮減尺寸，增強可靠性。

特征描述

低 Qrr 和 Qoss

低開關(guān)損耗

換向穩(wěn)健型快速體二極管

先進溝槽技術(shù)帶來出色的柵極氧化物可靠性

采用 .XT 互連技術(shù)，實現(xiàn)卓越的熱性能

雪崩能力更強

SMD 封裝，可直接集成至 PCB

用于優(yōu)化開關(guān)性能的感測引腳

優(yōu)勢

高性能、高可靠性且易于使用

高系統(tǒng)效率和高功率密度

降低系統(tǒng)成本和復雜度

打造成本更低、結(jié)構(gòu)更簡單且尺寸更小的系統(tǒng)

采用連續(xù)硬換向拓撲

適于高溫和惡劣的工作環(huán)境

實現(xiàn)雙向拓撲

潛在應用

服務(wù)器

電信

開關(guān)電源 (SMPS)

太陽能系統(tǒng)

儲能和電池系統(tǒng)

不間斷電源 (UPS)

電動汽車充電

電機驅(qū)動器

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