IMW120R007M1H 采用TO247-3封裝的1200V 7mΩ  CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先進的溝槽工藝，該工藝經(jīng)過優(yōu)化兼具性能與可靠性。與IGBT和MOSFET等傳統(tǒng)的硅（Si）基器件相比，SiC MOSFET具有諸多優(yōu)勢，例如1200 V開關(guān)器件中最低的柵極電荷和器件電容、體二極管沒有反向恢復(fù)損耗、關(guān)斷損耗受溫度影響小以及沒有拐點電壓的導(dǎo)通特性。因此，CoolSiC?碳化硅 MOSFET非常適用于硬開關(guān)和諧振開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，如功率因素校正（PFC）電路、雙向拓?fù)湟约癉C-DC轉(zhuǎn)換器或DC-AC逆變器。

特征描述

出類拔萃的開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗

高閾值電壓，Vth > 4 V

0V關(guān)斷柵極電壓，實現(xiàn)簡單的柵極驅(qū)動

寬柵源電壓范圍

堅固的低損耗體二極管，適用于硬開關(guān)

關(guān)斷損耗受溫度影響小

.XT擴散焊技術(shù)，可實現(xiàn)一流的熱性能

應(yīng)用領(lǐng)域

不間斷電源（UPS）

電池化成

電動汽車快速充電

電機控制和驅(qū)動

太陽能系統(tǒng)解決方案

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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  答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。