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供應(yīng)OptiMOS? 3 功率晶體管 IPP075N15N3G MOSFET N-Ch 150V 100A TO220-3

供應(yīng)OptiMOS? 3 功率晶體管 IPP075N15N3G MOSFET N-Ch 150V 100A TO220-3

來源:本站時間:2025-07-10瀏覽數(shù):

英飛凌 IPP075N15N3G OptiMOS? 3 功率MOSFET產(chǎn)品介紹:IPP075N15N3G 是一款高性能N溝道功率MOSFET,采用 TO-220-3 通孔封裝,具有 150V 耐壓和 100A 連續(xù)漏極電流能力。作為 OptiMOS? 3 系列的一員,該器件在 150V 電壓等級中實現(xiàn)了 行業(yè)領(lǐng)先的 RDS(on) 和品質(zhì)因數(shù)(FO…

英飛凌 IPP075N15N3G OptiMOS? 3 功率MOSFET產(chǎn)品介紹:

IPP075N15N3G 是一款高性能N溝道功率MOSFET,采用 TO-220-3 通孔封裝,具有 150V 耐壓和 100A 連續(xù)漏極電流能力。作為 OptiMOS? 3 系列的一員,該器件在 150V 電壓等級中實現(xiàn)了 行業(yè)領(lǐng)先的 RDS(on) 和品質(zhì)因數(shù)(FOM),相比次優(yōu)競品降低40%導(dǎo)通電阻和45% FOM,使其能夠用單個器件替代原有的兩個并聯(lián)器件,或從插件封裝轉(zhuǎn)向更緊湊的SMD封裝,從而優(yōu)化系統(tǒng)設(shè)計。


IPP075N15N3G 技術(shù)規(guī)格

封裝類型:TO-220-3

最大漏源電壓(Vdss):150V

最大連續(xù)漏極電流(Id):100A

導(dǎo)通電阻(RDS(on)):6.2mΩ @ 10V

柵極電荷量(Qg):93nC @ 10V

輸入電容(Ciss):5.47nF @ 75V

反向傳輸電容(Crss):10pF @ 75V

工作溫度范圍:-55°C 至 +175°C

最大耗散功率(Pd):300W


IPP075N15N3G 功能特性

優(yōu)異的開關(guān)性能:低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷,確保高效率和快速開關(guān)。

高功率密度:在相同封裝尺寸下提供更高的功率處理能力。

環(huán)保特性:符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),無鹵素。

高可靠性:適用于高電流和高開關(guān)頻率的應(yīng)用。


IPP075N15N3G 應(yīng)用場景

AC-DC SMPS 的同步整流:提高電源轉(zhuǎn)換效率

電機(jī)控制:適用于 48V-80V 系統(tǒng),如家用車輛、電動工具和卡車

隔離式 DC-DC 轉(zhuǎn)換器:用于通信和數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)

48V 系統(tǒng)的開關(guān)和斷路器

D 類音頻放大器

不間斷電源(UPS)


深圳市明佳達(dá)電子有限公司供應(yīng)英飛凌 N 溝道 MOSFET IPP075N15N3G OptiMOS? 3 功率晶體管,原裝正品,現(xiàn)貨供應(yīng),質(zhì)量保證,歡迎聯(lián)系!

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