商品名稱:SRAM 存儲(chǔ)器
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:361-FCBGA
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
CY7C4042KV13-933FCXC 是一款高性能存儲(chǔ)器件,通過使用兩個(gè)獨(dú)立的雙向數(shù)據(jù)端口,可最大限度地提高每秒隨機(jī)事務(wù)處理量。
CY7C4042KV13-933FCXC 的特點(diǎn)
72 Mbit 密度(4M × 18、2M × 36)
總隨機(jī)交易速率為 2132 MT/s
最高工作頻率為 1066 MHz
讀取延遲為 8.0 個(gè)時(shí)鐘周期,寫入延遲為 5.0 個(gè)時(shí)鐘周期
8 個(gè)存儲(chǔ)體架構(gòu)可實(shí)現(xiàn)每個(gè)存儲(chǔ)體每個(gè)周期一次訪問
所有訪問均為雙字突發(fā)
雙獨(dú)立雙向數(shù)據(jù)端口
雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 數(shù)據(jù)端口
支持兩個(gè)端口上的并發(fā)讀/寫事務(wù)
單地址端口用于控制兩個(gè)數(shù)據(jù)端口
DDR 地址信號(hào)
單數(shù)據(jù)速率 (SDR) 控制信號(hào)
高速收發(fā)器邏輯 (HSTL) 和存根串聯(lián)端接邏輯 (SSTL) 兼容信令(符合 JESD8-16A 標(biāo)準(zhǔn))
I/O VDDQ = 1.2 V ± 50 mV 或 1.25 V ± 50 mV
偽漏極開路 (POD) 信號(hào)(兼容 JESD8-24)
I/O VDDQ = 1.1 V ± 50 mV 或 1.2 V ± 50 mV
核心電壓
VDD = 1.3 V ± 40 mV
片上終端 (ODT)
可對(duì)時(shí)鐘、地址/命令和數(shù)據(jù)輸入進(jìn)行編程
通過 ZQ 引腳對(duì)輸出阻抗進(jìn)行內(nèi)部自校準(zhǔn)
總線反轉(zhuǎn)可降低開關(guān)噪聲和功耗
地址和數(shù)據(jù)可編程開/關(guān)
地址總線奇偶校驗(yàn)錯(cuò)誤保護(hù)
每位糾偏訓(xùn)練序列
片上糾錯(cuò)碼 (ECC),可降低軟錯(cuò)誤率 (SER)
JTAG 1149.1 測(cè)試訪問端口(符合 JESD8-26 標(biāo)準(zhǔn))
1.3-V LVCMOS 信號(hào)
采用 361 球 FCBGA 無鉛封裝(21 × 21 毫米)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
100-TQFP
2000
ИМС 18-Мбит синхронной памяти SRAM с проточным управлением
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動(dòng)性比較大,目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…2EDF5215F
2EDF5215F是一款快速、可靠的雙通道、高側(cè)隔離的柵極驅(qū)動(dòng)器,具有精確和穩(wěn)定的定時(shí)以及高電流輸出??。該產(chǎn)品專為驅(qū)動(dòng)低側(cè)和高側(cè) MOSFET 設(shè)計(jì),具有低部件間偏移和快速信號(hào)傳播,特別適用于快速切換的功率系統(tǒng)。其輸出匹配最大4納秒的傳播延遲,使得2EDF5215F在半橋應(yīng)用…2EDL05I06PF
2EDL05I06PF是一款600V的半橋柵極驅(qū)動(dòng)器IC,采用 LS-SOI 技術(shù),專為控制 IGBT 和 MOSFET 等功率器件設(shè)計(jì)?。其主要功能特點(diǎn)包括:兩個(gè)輸出都有單獨(dú)的控制電路欠電壓過濾檢測(cè)所有輸入均由二極管鉗位離線柵極鉗位功能不對(duì)稱欠壓鎖定閾值適于用高邊與低邊使用SOI 技術(shù)時(shí),橋…2ED2106S06F
2ED2106S06F是650 V高邊和低邊高速功率 MOSFET和IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器,它采用DSO-8封裝,具有典型的0.29A源電流和0.7A灌電流?;谟w凌SOI技術(shù), 它對(duì)VS引腳的負(fù)瞬態(tài)電壓有著出色的耐用性和抗干擾性。2ED2106S06F沒有采用寄生晶閘管結(jié)構(gòu),因此在任何溫度和電壓條件下,都不存…1EDI40I12AF
1EDI40I12AF是一款1200 V、7.5 A單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器,屬于 EiceDRIVER? 緊湊型系列?。該器件具有以下主要特性:EiceDRIVER? 緊湊型單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器系列適用于 600 V、650 V、1200 V IGBT、SiC 和 Si MOSFET電流隔離無芯變壓器柵極驅(qū)動(dòng)器7.5 A 典型灌電流和…1EDI30I12MF
1EDI30I12MF是一款單通道隔離柵極驅(qū)動(dòng)器,適用于1200V的 IGBT 、 SiC 和 Si MOSFET 器件?。它屬于 EiceDRIVER? 1ED Compact 150mil家族 ,具有以下主要特性:EiceDRIVER? 緊湊型單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器系列適用于 600 V、650 V、1200 V IGBT、SiC 和 Si MOSFET電流隔離…電話咨詢:86-755-83294757
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