商品名稱:SRAM 存儲(chǔ)器
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:FBGA-165
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
CY7C2644KV18-333BZXI 是 1.8 V 同步流水線 SRAM,采用 QDR II+ 架構(gòu)。
CY7C2644KV18-333BZXI 的特性
獨(dú)立的讀寫數(shù)據(jù)端口
支持并發(fā)事務(wù)
250 MHz 高帶寬時(shí)鐘
雙字突發(fā)可降低地址總線頻率
讀寫端口上的雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 接口(數(shù)據(jù)傳輸速率為 500 MHz),頻率為 250 MHz
提供 2.0 個(gè)時(shí)鐘周期的延遲
兩個(gè)輸入時(shí)鐘,用于精確的 DDR 時(shí)序
SRAM 僅使用上升沿
回波時(shí)鐘簡(jiǎn)化了高速系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)捕獲
數(shù)據(jù)有效引腳 (QVLD) 在輸出端指示有效數(shù)據(jù)
片上終止 (ODT) 功能
單多路復(fù)用地址輸入總線鎖存讀寫端口的地址輸入
用于深度擴(kuò)展的獨(dú)立端口選擇
當(dāng) DOFF 為高電平時(shí),四倍數(shù)據(jù)速率 II+ 的讀取延遲為 2.0 個(gè)周期
操作類似于 QDR I 器件,當(dāng) DOFF 為低電平時(shí),讀取延遲為一個(gè)周期
核心 VDD = 1.8 V± 0.1 V;I/O VDDQ = 1.4 V 至 VDD
支持 1.5 V 和 1.8 V I/O 電源
高速收發(fā)器邏輯 (HSTL) 輸入和可變驅(qū)動(dòng) HSTL 輸出緩沖器
以 165 球 CCGA(21 × 25 × 2.83 毫米)提供
兼容 JTAG 1149.1 的測(cè)試訪問端口
鎖相環(huán) (PLL),用于準(zhǔn)確放置數(shù)據(jù)
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
100-TQFP
2000
ИМС 18-Мбит синхронной памяти SRAM с проточным управлением
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…2EDF5215G
2EDF5215G是一款快速、可靠的高壓側(cè)和低壓側(cè)隔離柵極驅(qū)動(dòng)器,專為高性能應(yīng)用設(shè)計(jì)?。它具有精確和穩(wěn)定的定時(shí)功能以及高電流輸出能力,特別適用于快速切換的功率系統(tǒng)。2EDF5215G的輸出與低側(cè)和高側(cè) MOSFET 兼容,具有強(qiáng)大的輸出階段和低部件間偏移,快速信號(hào)傳播,使得產(chǎn)品…2EDF5215F
2EDF5215F是一款快速、可靠的雙通道、高側(cè)隔離的柵極驅(qū)動(dòng)器,具有精確和穩(wěn)定的定時(shí)以及高電流輸出??。該產(chǎn)品專為驅(qū)動(dòng)低側(cè)和高側(cè) MOSFET 設(shè)計(jì),具有低部件間偏移和快速信號(hào)傳播,特別適用于快速切換的功率系統(tǒng)。其輸出匹配最大4納秒的傳播延遲,使得2EDF5215F在半橋應(yīng)用…2EDL05I06PF
2EDL05I06PF是一款600V的半橋柵極驅(qū)動(dòng)器IC,采用 LS-SOI 技術(shù),專為控制 IGBT 和 MOSFET 等功率器件設(shè)計(jì)?。其主要功能特點(diǎn)包括:兩個(gè)輸出都有單獨(dú)的控制電路欠電壓過濾檢測(cè)所有輸入均由二極管鉗位離線柵極鉗位功能不對(duì)稱欠壓鎖定閾值適于用高邊與低邊使用SOI 技術(shù)時(shí),橋…2ED2106S06F
2ED2106S06F是650 V高邊和低邊高速功率 MOSFET和IGBT 柵極驅(qū)動(dòng)器,它采用DSO-8封裝,具有典型的0.29A源電流和0.7A灌電流?;谟w凌SOI技術(shù), 它對(duì)VS引腳的負(fù)瞬態(tài)電壓有著出色的耐用性和抗干擾性。2ED2106S06F沒有采用寄生晶閘管結(jié)構(gòu),因此在任何溫度和電壓條件下,都不存…1EDI40I12AF
1EDI40I12AF是一款1200 V、7.5 A單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器,屬于 EiceDRIVER? 緊湊型系列?。該器件具有以下主要特性:EiceDRIVER? 緊湊型單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器系列適用于 600 V、650 V、1200 V IGBT、SiC 和 Si MOSFET電流隔離無芯變壓器柵極驅(qū)動(dòng)器7.5 A 典型灌電流和…電話咨詢:86-755-83294757
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