IPW65R110CFD是 N溝道功率MOSFET，屬于 CoolMOS? CFD2系列，采用 TO-247-3封裝，適用于 高壓、高電流開關(guān)應(yīng)用。該器件具有 650V漏源電壓（V_DS） 和 31.2A連續(xù)漏極電流（I_D），并采用 先進(jìn)的硅基MOSFET技術(shù)，提供 低導(dǎo)通電阻（R_DS(on) = 99mΩ） 和 快速開關(guān)特性，適用于 工業(yè)電源、太陽能逆變器、電動汽車充電樁等高效能應(yīng)用。

IPW65R110CFD 特性

采用集成快速體二極管的 650V 技術(shù)

硬換向期間電壓過沖有限

與 600V CFD 技術(shù)相比，Qg 顯著降低

更大的 RDS(on) 最大值到 RDS(on) 典型值窗口

易于設(shè)計

價格低于 600V CFD 技術(shù)

IPW65R110CFD 優(yōu)勢

由于體二極管重復(fù)換向時的 Qrr 較低，因此開關(guān)損耗較低

自限制 di/dt 和 dv/dt

低 Qoss

縮短接通和斷開延遲時間

出色的 CoolMOS? 質(zhì)量

IPW65R110CFD 潛在應(yīng)用

電信

服務(wù)器

太陽能

HID 燈鎮(zhèn)流器

LED 照明

電子移動

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