商品名稱:N 溝道功率 MOSFET
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:PG-TSDSON-8
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
BSZ42DN25NS3G 250V OptiMOS? 3 N 溝道功率 MOSFET 晶體管是性能領(lǐng)先的基準(zhǔn)技術(shù),完全適用于 48V 系統(tǒng)中的同步整流、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、不間斷電源 (UPS) 和直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的逆變器。
BSZ42DN25NS3G 的規(guī)格
晶體管極性:N 溝道
通道數(shù):1 通道
Vds - 漏極-源極擊穿電壓:250 V
Id - 持續(xù)漏極電流:5 A
Rds On - 漏極-源極電阻:371 mOhms
Vgs - 柵極源極電壓:- 20 V,+ 20 V
Vgs th - 柵極-源極閾值電壓:2 V
Qg - 柵極電荷:5.5 nC
最低工作溫度:- 55 C
最高工作溫度:+ 150 C
Pd - 功率耗散:33.8 W
通道模式:增強(qiáng)
配置:?jiǎn)瓮ǖ?/span>
下降時(shí)間:5 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值:3 S
高度:1.1 毫米
長(zhǎng)度:3.3 毫米
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時(shí)間:2 ns
典型關(guān)斷延遲時(shí)間:8 ns
典型導(dǎo)通延遲時(shí)間:3 ns
寬度:3.3 毫米
單位重量:38.760 毫克
BSZ42DN25NS3G 的特性
針對(duì)直流-直流轉(zhuǎn)換進(jìn)行了優(yōu)化
N 溝道、正常電平
出色的柵極電荷 x R DS(導(dǎo)通)積(FOM)
低導(dǎo)通電阻 R DS(on)
150 °C 工作溫度
無鉛電鍍;符合 RoHS 規(guī)范
目標(biāo)應(yīng)用符合 JEDEC1) 標(biāo)準(zhǔn)
無鹵素,符合 IEC61249-2-21 標(biāo)準(zhǔn)
BSZ42DN25NS3G 的優(yōu)點(diǎn)
最高效率
最高功率密度
占用電路板空間最小
需要并聯(lián)的器件最少
改善系統(tǒng)成本
環(huán)保
易于設(shè)計(jì)的產(chǎn)品
BSZ42DN25NS3G 的應(yīng)用
用于 AC-DC SMPS 的同步整流
用于 48V-110V 系統(tǒng)的電機(jī)控制
隔離式 DC-DC 轉(zhuǎn)換器
用于 110V AC 電網(wǎng)的照明
HID 燈
D 類音頻放大器
不間斷電源 (UPS)
48 V 至 12 V DC-DC 轉(zhuǎn)換器
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
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IGCM20F60GA是一款由 Infineon 推出的600 V、20 A CIPOS? Mini 三相智能功率模塊 (IPM),其主要規(guī)格如下:類型:IGBT配置:3 相電流:20 A電壓:600 V電壓 - 隔離:2000Vrms安裝類型:通孔封裝/外殼:24-PowerDIPIGCM20F60GA的特點(diǎn)包括:基于反向?qū)?IGBT 技術(shù)20 A 逆變…IGCM15F60GA
IGCM15F60GA是一款600 V、15 A CIPOS? Mini 三相智能功率模塊 (IPM),帶發(fā)射極開路,采用 DIP 36x21 封裝。IGCM15F60GA提供成本和性能優(yōu)化的效率,結(jié)合反向?qū)?(RC) IGBT 以及出色的熱傳導(dǎo)和電氣隔離,適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。其主要特性如下:基于反向?qū)?IGBT 技術(shù)15…IGCM04G60HA
IGCM04G60HA CIPOS Mini智能功率模塊 (IPM)設(shè)計(jì)用于控制電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用,例如冰箱。IGCM04G60HA采用 DIP 36x21 封裝。它提供成本和性能優(yōu)化的效率,結(jié)合了反向?qū)?(RC) IGBT 以及出色的熱傳導(dǎo)和電氣隔離,適用于低功率電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。CIPOS? Mini系列配置包括兩相MOSFET、…電話咨詢:86-755-83294757
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