BSC0901NSI一款N通道功率MOSFET，屬于OptiMOS?系列，專為高性能降壓轉(zhuǎn)換器優(yōu)化。該產(chǎn)品超低柵極電荷和輸出電荷，以及采用小尺寸封裝的最低導通電阻，使 OptiMOS? 25V 成為滿足服務(wù)器、數(shù)據(jù)通信和電信應用對穩(wěn)壓器解決方案苛刻要求的最佳選擇。OptiMOS? 30V 產(chǎn)品通過改善 EMI 性能和延長電池壽命，滿足了筆記本電腦電源管理的需求。

BSC0901NSI產(chǎn)品屬性：

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V

Id-連續(xù)漏極電流: 100 A

Rds On-漏源導通電阻: 1.7 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V

Qg-柵極電荷: 41 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 69 W

通道模式: Enhancement

商標名: OptiMOS

配置: Single

下降時間: 4.6 ns

正向跨導 - 最小值: 65 S

高度: 1.27 mm

長度: 5.9 mm

產(chǎn)品類型: MOSFETs

上升時間: 7.2 ns

晶體管類型: 1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時間: 27 ns

典型接通延遲時間: 5 ns

潛在應用

板載充電器

筆記本電腦

主板

直流-直流

VRD/VRM

電機控制

發(fā)光二極管

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