英飛凌低 RDS(on) 600V 超結(jié) MOSFET 采用高效頂部冷卻 QDPAK 封裝,是低頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用和固態(tài)解決方案的理想選擇。
IPDQ60R065S7XTMA1產(chǎn)品屬性
制造商:Infineon
產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
封裝 / 箱體:HDSOP-22
晶體管極性:N-Channel
通道數(shù)量:1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:600 V
Id-連續(xù)漏極電流:9 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:65 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:- 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:3.5 V
Qg-柵極電荷:51 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:195 W
通道模式:Enhancement
系列:IPDQ60R065S7
下降時(shí)間:9 ns
優(yōu)勢(shì)
最大限度地降低導(dǎo)通損耗
提高能效
更緊湊、更簡(jiǎn)單的設(shè)計(jì)
在固態(tài)設(shè)計(jì)中無(wú)需或減少散熱器
較低的 TCO 成本或 BOM 成本
潛在應(yīng)用
SMPS
太陽(yáng)能系統(tǒng)
電池和設(shè)備保護(hù)
固態(tài)繼電器 (SSR) 和固態(tài)斷路器 (SSCB)
室內(nèi)商業(yè)照明控制
不間斷電源
低速電動(dòng)車(chē) (LSEV)
可編程邏輯控制器 (PLC)
室內(nèi)空調(diào)