S27KL0642DPBHA023 是一款高速 CMOS 自刷新 DRAM，帶有 HYPERBUS? 接口。DRAM 陣列使用需要定期刷新的動態(tài)單元。當(dāng)存儲器未被 HYPERBUS? 接口主控器（主機）主動讀寫時，器件內(nèi)的刷新控制邏輯會管理 DRAM 陣列上的刷新操作。
產(chǎn)品特性
接口
- HYPERBUS? 接口
- 支持 1.8 V / 3.0 V 接口
在所有事務(wù)開始時輸出，以指示刷新延遲
在讀取事務(wù)期間作為讀取數(shù)據(jù)選通輸出
在寫入事務(wù)期間作為寫入數(shù)據(jù)掩碼輸入
最大時鐘頻率為 200 MHz
DDR - 在時鐘的兩個邊沿傳輸數(shù)據(jù)
數(shù)據(jù)吞吐量高達 400 MBps（3,200 Mbps）
電源模式
- 混合睡眠模式
- 深度掉電
封裝 - 24 球 FBGA
工作溫度范圍
- 工業(yè) (I)： -40°C至+85°C
- 工業(yè)增強型 (V)： -40°C 至 +105°C
- 汽車，AEC-Q100 3 級：-40°C 至 +85°C
- 汽車，AEC-Q100 2 級：-40°C 至 +105°C
技術(shù) - 38 納米 DRAM
