S27KL0642DPBHI030 器件是一款高速 CMOS 自刷新 DRAM,帶有 HYPERBUS? 接口。DRAM 陣列使用需要定期刷新的動態(tài)單元。當 HYPERBUS? 接口主控器(主機)不主動讀寫存儲器時,器件內的刷新控制邏輯會管理 DRAM 陣列上的刷新操作。由于主機不需要管理任何刷新操作,因此在主機看來,DRAM 陣列就好像內存使用了無需刷新即可保留數據的靜態(tài)單元。因此,將該存儲器描述為偽靜態(tài) RAM(PSRAM)更為準確。
S27KL0642DPBHI030 的特點
HYPERBUSTM 接口
支持 1.8V / 3.0 V 接口
單端時鐘 (CK) - 11 個總線信號
可選差分時鐘 (CK, CK#) - 12 個總線信號
芯片選擇 (CS#)
8 位數據總線 (DQ[7:0])
硬件復位 (RESET#)
雙向讀寫數據選通 (RWDS)
在所有事務開始時輸出,指示刷新延遲
在讀取事務期間作為讀數據選通輸出
在寫入事務期間作為寫入數據掩碼輸入
-可選 DDR 中心對齊讀取選通 (DCARS)
在讀取事務期間,RWDS 被第二個時鐘偏移,與 CK 相移
相移時鐘用于在讀取數據眼內移動 RWDS 轉換邊沿
最大時鐘頻率為 200 MHz
DDR - 在時鐘的兩個邊沿上傳輸數據
數據吞吐量高達 400 MBps(3,200 Mbps)
可配置的突發(fā)特性:
線性突發(fā)
混合選項 - 一個封裝突發(fā)后是線性突發(fā)
型號
品牌
封裝
數量
描述
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