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英飛凌汽車級(jí)MOSFET(IPG20N04S4L-11)40V,雙N溝道,最大11.6毫歐姆

英飛凌汽車級(jí)MOSFET(IPG20N04S4L-11)40V,雙N溝道,最大11.6毫歐姆

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IPG20N04S4L-11 - 英飛凌汽車級(jí)雙N溝道MOSFET產(chǎn)品描述:IPG20N04S4L-11 是英飛凌(Infineon)推出的 汽車級(jí)雙N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,屬于 OptiMOS?-T2 系列,采用 PG-TDSON-8-4 封裝(56mm),具有超低導(dǎo)通電阻(11.6mΩ) 和 40V 漏源電壓,適用于汽車電子、工業(yè)控制及…

IPG20N04S4L-11 - 英飛凌汽車級(jí)雙N溝道MOSFET產(chǎn)品描述:

IPG20N04S4L-11 是英飛凌(Infineon)推出的 汽車級(jí)雙N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET,屬于 OptiMOS?-T2 系列,采用 PG-TDSON-8-4 封裝(5×6mm),具有超低導(dǎo)通電阻(11.6mΩ) 和 40V 漏源電壓,適用于汽車電子、工業(yè)控制及輕負(fù)載開(kāi)關(guān)等應(yīng)用。

IPG20N04S4L-11.jpg

關(guān)鍵特性:

雙N溝道設(shè)計(jì):集成兩個(gè)獨(dú)立MOSFET,節(jié)省PCB空間,提高系統(tǒng)集成度。

超低導(dǎo)通電阻:11.6mΩ(典型值)@ 10V, 17A,顯著降低功率損耗。

高電流能力:連續(xù)漏極電流達(dá) 20A,適用于大功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用。

汽車級(jí)認(rèn)證:

符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn),支持 -55°C ~ +175°C 寬溫工作范圍。

MSL1 峰值回流焊溫度達(dá) 260°C,滿足汽車制造工藝要求。

低柵極電荷(26nC @ 10V),優(yōu)化高頻PWM控制效率。

100% 雪崩測(cè)試,增強(qiáng)器件在瞬態(tài)高壓下的可靠性。

符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)計(jì)。


產(chǎn)品優(yōu)勢(shì):

雙超S08可替代多個(gè)DPAK,實(shí)現(xiàn)PCB面積的顯著節(jié)省和系統(tǒng)級(jí)成本降低。

鍵合線直徑為200微米,支持高達(dá)20安培的電流

更大的源極引線框架連接,適用于鍵合線連接

封裝:PG-TDSON-8-4

與相同芯片尺寸的DPAK相比,具有相同的熱性能和電氣性能。

裸露焊盤(pán)提供卓越的熱傳導(dǎo)性能(具體取決于芯片尺寸)

單個(gè)封裝內(nèi)集成兩個(gè)N溝道MOSFET,配備2個(gè)獨(dú)立的引線框架


技術(shù)參數(shù):

產(chǎn)品種類: MOSFET

封裝 / 箱體: TDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 2 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V

Id-連續(xù)漏極電流: 20 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 11.6 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 16 V, + 16 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.7 V

Qg-柵極電荷: 26 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 41 W


明佳達(dá)電子供應(yīng)信息

深圳市明佳達(dá)電子有限公司現(xiàn)貨供應(yīng)IPG20N04S4L-11 汽車級(jí)MOSFET,公司致力于為客戶提供原廠正品的電子元器件,確保產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性。憑借完善的庫(kù)存管理和物流體系,明佳達(dá)電子能夠快速響應(yīng)客戶需求,提供及時(shí)的供貨服務(wù)。歡迎有需求的客戶聯(lián)系明佳達(dá)電子,獲取詳細(xì)的產(chǎn)品信息和報(bào)價(jià)。


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