商品名稱:N-通道功率MOSFET
品牌:IXYS
年份:23+
封裝:TO-247-4
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3360 件
IXFH60N65X2-4 是 IXYS推出的 N溝道功率MOSFET,屬于 HiPerFET? X2-Class 系列,采用 TO-247-4L 封裝,適用于高頻開關(guān)電源、電機驅(qū)動及工業(yè)逆變器 等應(yīng)用。該器件采用超結(jié)技術(shù),具有 低導(dǎo)通電阻(RDS(on))、高電流承載能力及優(yōu)異的雪崩耐量,可顯著提升系統(tǒng)效率并增強可靠性。
IXFH60N65X2-4 特性
高耐壓:650V 漏源電壓(VDS),適用于 工業(yè)電源及新能源逆變器 等高電壓場景。
高電流能力:60A 連續(xù)漏極電流(ID)(殼溫25°C時),脈沖電流 120A,滿足瞬態(tài)高負(fù)載需求。
低導(dǎo)通電阻:52mΩ(最大值)@10V VGS, 30A ID,減少傳導(dǎo)損耗。
快速開關(guān)性能:柵極電荷(Qg)= 108nC @10V,優(yōu)化高頻驅(qū)動效率。
上升時間23ns / 下降時間12ns,適用于 PWM控制應(yīng)用。
強固性設(shè)計:780W 最大功率耗散(殼溫25°C),支持高功率應(yīng)用。
雪崩能量耐受,增強抗電壓沖擊能力。
寬溫工作范圍:-55°C ~ +150°C(結(jié)溫),適應(yīng)嚴(yán)苛工業(yè)環(huán)境。
TO-247-4L 封裝:通孔安裝,自帶散熱片,優(yōu)化熱性能。
低封裝電感:減少高頻開關(guān)噪聲。
IXFH60N65X2-4 典型應(yīng)用
電源轉(zhuǎn)換:PFC(功率因數(shù)校正)電路、DC-DC轉(zhuǎn)換器。
電機驅(qū)動:工業(yè)伺服系統(tǒng)、電動汽車輔助電機。
逆變器:太陽能逆變器、UPS不間斷電源。
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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IXYS(中文名: 艾賽斯)總部位于美國硅谷,1983年成立,主營:MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流橋、二極管、DCB塊、功率模塊、Hybrid、晶體管、逆變器、射頻模塊和單片機等。業(yè)務(wù)分布于消費、汽車、醫(yī)療、電信、工業(yè)和能源領(lǐng)域,產(chǎn)品技術(shù)特點為高壓、高功率,涵蓋了…
DLA60I1200HA
DLA60I1200HA 是 IXYS 推出的一款 1200V/60A 通用整流器,采用 TO-247-2(TO-247AD) 封裝,適用于高功率整流、工業(yè)電源、電機驅(qū)動等應(yīng)用。IXFH60N50P3
IXFH60N50P3是一款 N溝道功率MOSFET,屬于 HiPerFET? Polar3? 系列,專為高功率開關(guān)應(yīng)用設(shè)計。IXGH28N60B3D1
IXGH28N60B3D1絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 提供高達150 kHz的開關(guān)能力,電流范圍為66A。高開關(guān)速度和低傳導(dǎo)損耗的結(jié)合為電源設(shè)計人員提供了一種新的高價值開關(guān)應(yīng)用選擇。該產(chǎn)品具有以下主要參數(shù):IGBT 類型:PT電壓 - 集射極擊穿(最大值):600 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值…IXXK100N60B3H1
IXXK100N60B3H1是一款I(lǐng)GBT(絕緣柵雙極型晶體管),主要用于10-30kHz的開關(guān)應(yīng)用。該產(chǎn)品具有以下主要參數(shù):IGBT 類型:PT電壓 - 集射極擊穿(最大值):600 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):200 A電流 - 集電極脈沖 (Icm):440 A不同 Vge、Ic 時 Vce(on)(最大值):1.8V…IXYK85N120C4H1
IXYK85N120C4H1絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT) 采用XPT薄晶圓技術(shù)和溝槽式IGBT工藝開發(fā)。該晶體管具有低熱阻,優(yōu)化用于實現(xiàn)低開關(guān)損耗。其特點和技術(shù)規(guī)格如下:特點經(jīng)過優(yōu)化用于低開關(guān)損耗正熱系數(shù)VCE(sat)國際標(biāo)準(zhǔn)封裝大電流處理能力功率密度大柵極驅(qū)動要求低反向并聯(lián)sonic二…IXYH40N120B4H1
IXYH40N120B4H1 1200V溝槽式XPT?絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT) 采用XPT薄晶圓技術(shù)和溝槽式IGBT工藝開發(fā)。該晶體管具有低熱阻,優(yōu)化用于實現(xiàn)低開關(guān)損耗。該產(chǎn)品具有以下主要規(guī)格:IGBT 類型:溝道電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (Ic)(最大值):112 A電…電話咨詢:86-755-83294757
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