STGW30NC120HD器件是一款N溝道1200 V、30 A超快PowerMESH IGBT 晶體管。其技術規(guī)格和應用如下:
技術規(guī)格
電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):60 A
不同 Vge、Ic 時 Vce(on)(最大值):2.75V @ 15V,20A
功率 - 最大值:220 W
開關能量:1.66mJ(導通),4.44mJ(關斷)
輸入類型:標準
柵極電荷:110 nC
25°C 時 Td(開/關)值:29ns/275ns
測試條件:960V,20A,10 歐姆,15V
反向恢復時間 (trr):152 ns
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:通孔
封裝/外殼:TO-247-3
應用領域
STGW30NC120HD適用于需要高電壓和高電流的工業(yè)應用,如電機控制、電源供應和逆變器等。其高性能和低功耗特性使其在要求嚴格的工業(yè)環(huán)境中表現出色?。
型號
品牌
封裝
數量
描述
ROHM
TO-247GE
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 5μs Short-Circuit Tolerance, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247GE
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 75 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 1200 V 35 A TO-264 MAX
Microchip
TO-264-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 100 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
絕緣柵雙極晶體管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
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意法半導體(ST)集團于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導體有限公司。意法半導體是世界最大的半導體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%;營業(yè)…
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STM32F030K6T6 是入門級32位ARM Cortex-M0微控制器,屬于 STM32F0系列,主打 低成本、低功耗、高性能,適用于 家電控制、工業(yè)自動化、消費電子等應用。STB120NF10T4
STB120NF10T4是意法半導體推出的 N溝道增強型功率MOSFET,屬于 STripFET? II 系列,采用 TO-263-3(D2PAK)封裝,適用于高電流、高耐壓 應用場景。STM32L053R8T7
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STGIPS10K60T 智能電源模塊設計簡潔、堅固耐用,是一款緊湊型高性能交流電機驅動器。電話咨詢:86-755-83294757
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