HMC8038LP4CETR是一款高隔離度、非反射式、0.1 GHz至6.0 GH、單刀雙擲(SPDT)開關(guān)芯片，采用無引腳、表貼封裝。 該開關(guān)非常適合蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用，可實(shí)現(xiàn)高達(dá)4.0 GHz的62 dB隔離、高達(dá)4.0 GHz的0.8 dB低插入損耗和60 dBm輸入三階交調(diào)截點(diǎn)。 擁有高達(dá)6.0 GHz的出色功率處理能力，并提供針對35 dBm的0.1 dB壓縮點(diǎn)(P0.1dB)的輸入功率(VDD = 5 V)。 片內(nèi)電路在極低直流下采用3.3 V至5 V的單正電源電壓，以及0 V至1.8 V/3.3 V/5.0 V的單正電壓控制。 使能輸入(EN)設(shè)為邏輯高電平將該開關(guān)置于全部關(guān)斷狀態(tài)，其中RFC為反射式。

HMC8038LP4CETR的器件引腳均提供ESD保護(hù)，包括RF接口，并可承受4 kV HMB和1.25 kV CDM。 HMC8038LP4CETR分別提供150 ns和170 ns的快速開關(guān)和RF建立時間性能。 該器件采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的緊湊型4 mm × 4 mm LFCSP封裝。

特性—HMC8038LP4CETR

非反射式50 ?設(shè)計(jì)

高隔離度： 60 dB（典型值）

低插入損耗： 0.8 dB（典型值）

高功率處理

34 dBm（通過路徑）

29 dBm（端接路徑）

高線性度

0.1 dB壓縮(P0.1dB)： 35 dBm（典型值）

輸入三階交調(diào)截點(diǎn)(IP3)： 60 dBm（典型值）

ESD額定值

4 kV人體模型(HBM)，3A類

1.25 kV充電器模型(CDM)

單正電源

3.3 V至5 V

1.8 V兼容控制

應(yīng)用—HMC8038LP4CETR

蜂窩/4G基礎(chǔ)設(shè)施

無線基礎(chǔ)設(shè)施

汽車遠(yuǎn)程信息系統(tǒng)

移動無線電

測試設(shè)備

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