AIDK16S65C5是第 5 代 CoolSiC? 汽車肖特基二極管代表了英飛凌在碳化硅肖特基勢壘二極管領(lǐng)域的領(lǐng)先技術(shù)。得益于緊湊的設(shè)計和基于薄晶圓的技術(shù)，該系列產(chǎn)品在所有負(fù)載條件下都能提高效率，這得益于其熱特性和低功耗（Qc x Vf）。該產(chǎn)品系列旨在補(bǔ)充英飛凌的 IGBT 和 CoolMOS? 產(chǎn)品組合。這可確保滿足 650V 電壓等級中最嚴(yán)格的應(yīng)用要求。

AIDK16S65C5特點(diǎn)

- 革命性的半導(dǎo)體材料 - 碳化硅

- 基準(zhǔn)開關(guān)性能

- 無反向恢復(fù)/無正向恢復(fù)

- 開關(guān)行為不受溫度影響

- 高浪涌電流能力

- 無鉛電鍍；符合 RoHS 規(guī)范

- 結(jié)溫范圍為 -40°C 至 175°C

- 系統(tǒng)效率高于硅二極管

- 冷卻要求降低，從而節(jié)省了系統(tǒng)成本/尺寸

- 實(shí)現(xiàn)更高頻率/更高功率密度的解決方案

- 更低的工作溫度帶來更高的系統(tǒng)可靠性

- 減少電磁干擾

AIDK16S65C5 規(guī)格

技術(shù)： SiC（Silicon Carbide）Schottky  

電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）： 650 V  

電流 - 平均整流 (Io) ：16A  

不同 If 時電壓 - 正向 (Vf) ：1.7 V @ 16 A  

速度： 無恢復(fù)時間 > 500mA（Io）  

反向恢復(fù)時間 (trr) ：0 ns  

不同 Vr 時電流 - 反向泄漏： 90 μA @ 650 V  

不同 Vr、F 時電容： 483pF @ 1V，1MHz  

等級： 汽車級  

資質(zhì)： AEC-Q101  

安裝類型： 表面貼裝型  

封裝/外殼： TO-263-3，D2PAK（2 引線 + 凸片），TO-263AB  

供應(yīng)商器件封裝： PG-TO263-2  

工作溫度 - 結(jié)： -40°C ~ 175°C 

AIDK16S65C5潛在應(yīng)用

- 升壓器/DCDC 轉(zhuǎn)換器

- 板載充電器/PFC

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