IMBG65R107M1HXTMA1是650V CoolSiC M1 SiC溝槽功率器件，SMD緊湊型封裝SiC MOSFET。

IMBG65R107M1HXTMA1的產(chǎn)品屬性

晶體管類型： N-溝道

技術(shù)： SiCFET (碳化硅)

漏極至源極電壓（Vdss）： 650 V

電流 - 連續(xù)漏極（Id） @ 25°C： 24A (Tc)

驅(qū)動電壓（最大Rds On，最小Rds On）： 18V

Rds On (Max) @ Id, Vgs： 141mOhm @ 8.9A, 18V

Vgs(th)（最大）@ Id： 5.7V @ 2.6mA

柵極電荷（Qg）（最大值）@ Vgs： 15 nC @ 18 V

Vgs（最大）： +23V，-5V

輸入電容（Ciss）（最大值）@ Vds： 496 pF @ 400 V

功率耗散（最大）： 110W (Tc)

工作溫度：-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型： 表面貼裝

供應(yīng)商器件封裝： PG-TO263-7-12

封裝/外殼：TO-263-8, D2Pak (7引線+接片), TO-263CA

IMBG65R107M1HXTMA1的特點

效率提高

高性能、高可靠性和易于使用的獨特組合

易于使用和集成

適用于具有連續(xù)硬換向的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

更高的穩(wěn)健性和系統(tǒng)可靠性

集成電路芯片IMBG65R107M1HXTMA1 N溝道650V MOSFETs 晶體管

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