商品名稱：SiC MOSFET 模塊
品牌：ON
年份：24+
封裝：PIM-18
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
NXH010P120M3F1PG 是一個功率模塊，包含 10 m/1200 V SiC MOSFET 半橋和一個熱敏電阻，采用 F1 封裝。
規(guī)格：
晶體管極性：N-Channel
通道數(shù)量：2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓：1.2 kV
Id-連續(xù)漏極電流：105 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：14.5 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓：- 10 V, + 22 V
Vgs th-柵源極閾值電壓：4.4 V
封裝 / 箱體：PIM-18
工作溫度：- 40°C 至 + 150°C
Pd-功率耗散：272 W
封裝：Tray
商標(biāo)：onsemi
配置：Half-Bridge
下降時間：15 ns
高度：12.35 mm
長度：63.3 mm
產(chǎn)品類型：MOSFET Modules
上升時間：15 ns
典型應(yīng)用：
? 太陽能逆變器
? 不間斷電源
? 電動汽車充電站
? 工業(yè)動力
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
Microchip
Module
1000
1200V、HPD、三相橋 + 驅(qū)動全選項(xiàng)混合動力驅(qū)動 mSiC? MOSFET 模塊
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NCV33202VDR2G 運(yùn)算放大器的輸入和輸出均可實(shí)現(xiàn)軌至軌操作。輸入可驅(qū)動至超出電源軌 200mV 的高電平，而輸出不會發(fā)生相位反轉(zhuǎn)，輸出可在每個軌 50 mV 范圍內(nèi)擺動。這種軌至軌的工作方式使用戶能夠充分利用可用的電源電壓范圍。它的設(shè)計(jì)工作電壓非常低（+/- 0.9 V），但可…
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