GS-065-011-1-L-TR 是一款增強型硅基 GaN 功率晶體管。 GaN 的特性允許高電流、高電壓擊穿和高開關頻率。 GS-065-011-1-L-TR 是一款采用 5x6 mm PDFN 封裝的底部冷卻晶體管，可實現(xiàn)現(xiàn)代 USB-C 適配器和充電器或其他中等功率應用所需的理想功耗。

GS-065-011-1-L-TR 規(guī)格

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: GaN 場效應晶體管

安裝風格: SMD/SMT

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 650 V

Id-連續(xù)漏極電流: 11 A

Rds On-漏源導通電阻: 150 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 10 V, + 7 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.5 V

Qg-柵極電荷: 2 nC

最小工作溫度: - 40 C

最大工作溫度: + 150 C

通道模式: Enhancement

配置: Single

最大工作頻率: > 1 MHz

最小工作頻率: 0 Hz

濕度敏感性: Yes

系列: GS-065

技術: GaN-on-Si

晶體管類型: E-Mode

應用領域

AC-DC

USB供電

USB PD適配器

充電器

工業(yè)

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