GD150PIX120C6SNA(IGBT模塊,C6封裝):1200V/150A PIM/功率集成模塊,具有超低傳導(dǎo)損耗和短路耐用性。
型號(hào):GD150PIX120C6SNA(IGBT 模塊)
封裝:C6
額定電流:150A
芯片類型:Trench-FS Gen1
額定電壓:1200V
電路結(jié)構(gòu):PIM/功率集成模塊
特征:平板基板
導(dǎo)通壓降VCE(sat) Tvj=25℃ typ:1.7V
GD150PIX120C6SNA - 等效電路示意圖:

GD150PIX120C6SNA - 產(chǎn)品特征:
低 VCE(飽和)溝槽式 IGBT 技術(shù)
10μs 短路能力
正溫度系數(shù) VCE(sat)
最高結(jié)溫 175℃
低電感外殼
快速和軟反向恢復(fù)反并聯(lián) FWD
采用 DBC 技術(shù)的隔離銅基板