C3M0025065J1 是 650V N 溝道增強型 SiC MOSFET 晶體管,采用 TO-263-7 封裝。它是高性能工業(yè)電源、服務(wù)器/電信電源、電動汽車充電系統(tǒng)、儲能系統(tǒng)、不間斷電源和電池管理系統(tǒng)等應(yīng)用的理想之選。
C3M0025065J1 - 650V N 溝道增強型 SiC MOSFET 晶體管,采用 TO-263-7 封裝

產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術(shù):SiCFET(碳化硅)
漏源電壓(Vdss):650 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):80A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):15V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):34 毫歐 @ 33.5A,15V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):3.6V @ 9.22mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):109 nC @ 15 V
Vgs(最大值):+19V,-8V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):2980 pF @ 400 V
功率耗散(最大值):271W(Tc)
工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:TO-263-7
封裝/外殼:TO-263-8,D2PAK(7 引線 + 凸片),TO-263CA