STL175N4LF8AG是一款 40 V N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET，采用 STripFET F8 技術(shù)設(shè)計(jì)，具有增強(qiáng)型溝槽柵極結(jié)構(gòu)。

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: PowerFLAT -4

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 40 V

Id-連續(xù)漏極電流: 167 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 3.2 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 16 V, + 16 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Qg-柵極電荷: 34.5 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 111 W

通道模式: Enhancement

配置: Single

下降時(shí)間: 3.5 ns

產(chǎn)品類型: MOSFET

上升時(shí)間: 2.5 ns

工廠包裝數(shù)量:  3000

子類別: MOSFETs

晶體管類型: 1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 26 ns

典型接通延遲時(shí)間: 7 ns

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