商品名稱:射頻放大器
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:TSNP-6
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
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BGA5M1BN6E6328XTSA1 - 用于 LTE 中頻的 18dB 高增益低噪聲放大器
型號(hào):BGA5M1BN6E6328XTSA1
封裝:TSNP-6
類型:低噪聲放大器
詳細(xì)描述:射頻放大器IC,用于 LTE 中頻段的 18dB 高增益低噪聲放大器
產(chǎn)品概述
BGA5M1BN6E6328XTSA1 是一款用于 LTE 的前端低噪聲放大器,覆蓋 1805 MHz 至 2200 MHz 的寬頻率范圍。LNA 的增益為 19.3 dB,噪聲系數(shù)為 0.65 dB,電流消耗為 9.5mA。在旁路模式下,LNA 的插入損耗為 4.7 dB。
BGA5M1BN6 采用英飛凌科技的 B9HF 硅鍺技術(shù)。它的工作電源電壓為 1.5 V 至 3.6 V。該器件采用單線雙態(tài)控制(旁路和高增益模式)??赏ㄟ^(guò)關(guān)閉 VCC 電源來(lái)啟用關(guān)態(tài)。
產(chǎn)品特性
插入功率增益:19.3 dB
旁路模式下的插入損耗 4.7 分貝
噪聲系數(shù)低 0.65 分貝
低電流消耗:9.5 毫安
工作頻率 1805 - 2200 MHz
多狀態(tài)控制:旁路和高增益模式
電源電壓:1.5 V 至 3.6 V
超小型 TSNP-6-2 和 TSNP-6-10 無(wú)引線封裝(基底面:0.7 x 1.1 mm2)
B9HF 硅鍺技術(shù)
內(nèi)部匹配為 50 歐姆的射頻輸出
外部元件數(shù)量少
2kV HBM ESD 保護(hù)(包括 AI 引腳)
無(wú)鉛(符合 RoHS 規(guī)范)封裝
應(yīng)用
汽車遠(yuǎn)程信息處理控制單元 (TCU)
移動(dòng)設(shè)備和智能手機(jī)
有線通信
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個(gè)人用戶開(kāi)具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開(kāi)具增值稅專用發(fā)票。
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BSZ520N15NS3G 是英飛凌的 N溝道功率MOSFET,屬于 OptiMOS? 3系列,采用 TDSON-8封裝(3.33.3mm),適用于高效率電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及汽車電子等應(yīng)用。BSC052N08NS5
BSC052N08NS5 是一款 N溝道功率MOSFET,采用 TDSON-8封裝,屬于 OptiMOS? 5系列。BTS724G
BTS724G 是英飛凌推出的四通道智能高端開(kāi)關(guān),采用PG-DSO-20封裝,專為汽車電子和工業(yè)控制應(yīng)用設(shè)計(jì)。電話咨詢:86-755-83294757
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