描述：BSZ010NE2LS5功率MOSFET是優(yōu)化效率和功率密度解決方案的最佳選擇，例如開(kāi)關(guān)模式電源（SMPS）中的同步整流。與之前的OptiMOS MOSFET產(chǎn)品相比，RDS（on）顯著降低，從而提高了系統(tǒng)效率。

產(chǎn)品屬性

FET 類(lèi)型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：25 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：32A（Ta），40A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：1 毫歐 @ 20A，10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：29 nC @ 4.5 V

Vgs（最大值）：±16V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：3900 pF @ 12 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：2.1W（Ta），69W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類(lèi)型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：PG-TSDSON-8-FL

封裝/外殼：8-PowerTDFN

基本產(chǎn)品編號(hào)：BSZ010

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  答：我們的自營(yíng)商品均采自合作的國(guó)內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商，來(lái)源均可追溯，確保原裝正品。

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  答：可以通過(guò)網(wǎng)站上詢(xún)價(jià)，也可以通過(guò)電話(huà)以及郵箱咨詢(xún)。

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  答：大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期，您可根據(jù)貨期估計(jì)商品的發(fā)貨時(shí)間，具體到貨時(shí)間根據(jù)商品具體所在的倉(cāng)庫(kù)、您所選擇的物流方式而定。

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  答：可以為個(gè)人用戶(hù)開(kāi)具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶(hù)開(kāi)具增值稅專(zhuān)用發(fā)票。