ADL8100ACPZN是一款砷化鎵(GaAs)、單芯片微波集成電路(MMIC)、假晶高電子遷移率晶體管(pHEMT)、寬帶低噪聲放大器(LNA)，工作頻率范圍為0.01 GHz至20 GHz。ADL8100ACPZN在0.01 GHz至6 GHz范圍內(nèi)提供20 dB典型增益，在6 GHz至14 GHz范圍內(nèi)提供2.5 dB典型噪聲系數(shù)，在0.01 GHz至6 GHz范圍內(nèi)提供38 dBm典型輸出三階交調(diào)點(OIP3)，采用5 V電源電壓時功耗僅為220 mA?？赏ㄟ^犧牲OIP3和輸出功率來降低功耗。還具有內(nèi)部匹配50Ω的直流耦合輸入和輸出。

ADL8100ACPZN采用符合RoHS標準的2 mm × 2 mm、8引腳LFCSP封裝。

特點

低噪聲系數(shù)：2.5 dB（典型值，6 GHz至14 GHz時）

單正電源（自偏置）

高增益：20 dB（典型值，0.01 GHz至6 GHz）

高OIP3：38 dBm（典型值，0.01 GHz至6 GHz）

符合RoHS標準的2 mm x 2 mm、8引腳LFCSP封裝

應用

衛(wèi)星通信

電信

民用雷達

軍用雷達

氣象雷達

電子戰(zhàn)

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