IPL65R130CFD7 650V CoolMOS? CFD7 超級結(jié) MOSFET 集成了快速體二極管，是諧振高功率拓撲結(jié)構(gòu)的完美選擇。

產(chǎn)品描述

英飛凌的 650V CoolMOS? CFD7 超結(jié) MOSFET IPL65R130CFD7 采用 ThinPAK 8x8 封裝，非常適合服務(wù)器、電信、太陽能和電動汽車充電站等工業(yè)應用中的諧振拓撲結(jié)構(gòu)，與同類產(chǎn)品相比，它能夠顯著提高效率。 作為 CFD2 SJ MOSFET 系列的后繼產(chǎn)品，它降低了柵極電荷，改善了關(guān)斷性能，減少了反向恢復電荷，從而實現(xiàn)了最高的效率和功率密度，并增加了 50V 擊穿電壓。

特性概述

超快體二極管和極低 Qrr

650V 擊穿電壓

與同類產(chǎn)品相比，開關(guān)損耗顯著降低

RDS(on) 隨溫度變化的依賴性最低

潛在應用

快速電動汽車充電

服務(wù)器電源

太陽能系統(tǒng)解決方案

電信基礎(chǔ)設(shè)施

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